30-V-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe von Vishay Intertechnology im PowerPAIR®-3x3F-Gehäuse liefert 11% mehr Ausgangsstrom
Dual-MOSFET mit integrierter Schottky-Diode bietet höhere Leistungsdichte und höheren Wirkungsgrad, benötigt dabei 65% weniger Leiterplattenfläche im Vergleich zu ähnlichen Bauteilen im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 8. Juli 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert eine neue 30-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe, die einen High-Side-TrenchFET®-MOSFET und einen Low-Side-SkyFET®-MOSFET plus eine integrierte Schottky-Diode in einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR®-Gehäuse vereint. Die für Spannungswandler-Anwendungen in Computern und Telekom-Ausrüstung vorgesehene Halbbrücken-Leistungsstufe SiZF300DT von Vishay Siliconix zeichnet sich durch höhere Leistungsdichte und höheren Wirkungsgrad aus, außerdem verringert sie die Bauteilanzahl und vereinfacht das Design.
Die beiden MOSFETs in dem neuen Dual-Bauteil sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 4,5 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung bzw. 7,0 mΩ bei 4,5 V. Der Kanal-2-MOSFET hat einen maximalen
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SkyFET, TrenchFET und PowerPAIR sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.
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