Schnelle PIN-Photodiode von Vishay Intertechnology ermöglicht leistungsfähigere, extrem flache Biosensoren für Wearables
Höherer Photostrom (33 µA), nur 4,8 mm x 2,5 mm großes SMD-Gehäuse,
nur 0,48 mm Bauh̦he Рneuer Branchenrekord
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Malvern, Pennsylvania (USA) – 17. Februar 2021 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat sein Angebot an Optoelektronik-Bauteilen um eine neue Silizium-PIN-Photodiode mit schnellen Schaltzeiten und mit erhöhter Empfindlichkeit für sichtbares und Infrarotlicht erweitert. Die neue Photodiode VEMD8081 von Vishay Semiconductors besitzt ein rechtwinkliges, 4,8 mm x 2,5 mm großes SMD-Gehäuse mit Sensor-Orientierung nach oben (top-view), das mit einer Bauhöhe von nur 0,48 mm einen neuen Branchenrekord aufstellt. Mit ihrem hohen Photostrom von 33 µA (typ.) eignet sich die neue Photodiode bestens für Biosensor-Anwendungen in Wearables und medizinischen Geräten.
Die Photodiode VEMD8081 bietet im Vergleich zu ihrem Vorgänger VEMD8080 bei gleichen Abmessungen einen um 15% höheren Photostrom. Entwickler können das Vorgängerprodukt direkt durch das neue Bauteil ersetzen und so die Signalstärke bei gegebener Beleuchtungsstärke erhöhen oder den LED-Strom reduzieren und dadurch die Batterielaufzeit verlängern.
Für Pulsfrequenzmessungen mithilfe körpernah getragener Geräte wie z. B. Fitness-Tracker oder Smartwatches wird die Photodiode VEMD8081 zwischen zwei pulsierende grüne LEDs platziert. Die Photodiode empfängt das von der Haut reflektierte Licht und wandelt es in einen Ausgangsstrom um, wobei die höhere Empfindlichkeit genauere Messungen ermöglicht. Die nicht-quadratische, rechteckige Form der Photodiode VEMD8081 maximiert die für das reflektierte Licht empfindliche Fläche und eliminiert die für quadratische Photodioden typische "tote" Fläche. In Kombination mit roten oder infraroten LEDs eignet sich die neue Photodiode ideal für die SpO2-Messungen für medizinische Überwachung.
Die auf Vishays bewährter Wafer-Technologie basierende Photodiode VEMD8081 hat eine große lichtempfindliche Fläche von 5,4 mm² und detektiert Licht in einem weiten Spektrum vom sichtbaren bis zum Nah-Infrarot-Bereich. Die geringe Kapazität von nur 50 pF resultiert in kurzen Schaltzeiten und ermöglicht entsprechend hohe Abtastraten.
Die Photodiode VEMD8081 hat einen Empfindlichkeits-Halbwertswinkel von ±65° und einen Arbeitstemperaturbereich von –40°C bis +85°C; das Empfindlichkeitsmaximum liegt bei 840 nm. Die neue Photodiode ist RoHS-konform und halogenfrei und erfüllt die Anforderungen des Standards J-STD-020 MSL (Moisture Sensitivity Level) 3, entsprechend einer Floor-Life-Zeit von 168 Stunden.
Die Photodiode VEMD8081 ist ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen mit einer Lieferzeit von zehn Wochen lieferbar.
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