Integrierte 40-V-MOSFET-Halbbrücke-von Vishay Intertechnology bietet klassenbeste RDS(ON) - und FOM-Werte und erhöht dadurch die Leistungsdichte und Energieeffizienz
Platzsparendes Bauteil mit maximalem RDS(ON)-Wert ab 8,05 mΩ und
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Malvern, Pennsylvania (USA)– 14. Oktober 2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert eine neue, für Anwendungen in Haushaltsgeräten, Industrieanlagen, medizinischen Geräten und Telekomsystemen vorgesehene 40-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücke, die sich durch erhöhte Leistungsdichte und Energieeffizienz auszeichnet. Durch die Integration der High- und Low-Side-MOSFETs in einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR®-Gehäuse bietet SiZ240DT von Vishay Siliconix beste On-Widerstands- und FOM-Werte dieser Klasse. "FOM" steht für "Figure of Merit" (Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung) und ist eine wichtige Spezifikation für MOSFETs, die in Energiewandler-Anwendungen eingesetzt werden.
Die beiden TrenchFET-MOSFETs im SiZ240DT sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET im SiZ240DT, der typischerweise als Steuerschalter in einem Synchron-Abwärtsregler dient, hat einen maximalen On-Widerstand von 8,05 mΩ bei 10 V bzw. 12,25 mΩ bei 4,5 V Gate-Spannung. Der Kanal-2-MOSFET, der typischerweise als Synchronschalter dient, hat einen On-Widerstand von 8,41 mΩ bei 10 V bzw. 13,30 mΩ bei
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