–30-V-p-Kanal-MOSFET im PowerPAK®-1212‑8S-Gehäuse stellt neuen Rekord mit extrem kleinen RDS(ON) auf und erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz mobiler Elektronikprodukte
Branchenrekorde: 3,5 mW RDS(ON) und 172 mW • nC FOM bei 10,89 mm2 Gehäusegrundfläche
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Malvern, Pennsylvania (USA)– 10. Februar2020 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen –30-V-p-Kanal-TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET im 3,3 mm x 3,3 mm kleinen, thermisch optimierten PowerPAK®-1212-8S-Gehäuse, der mit einem
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PowerPAK und TrenchFET sind eingetragene Marken der Firma Siliconix Incorporated.
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